VS-8EWS12STR-M3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Diskrete Halbleiter-Produkte
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RF/if und RFID
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Optoelektronik
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, männliche Pins(138439)
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWS12STR-M3
| Artikelnummer: | VS-8EWS12STR-M3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.00 |
| 10+ | $2.699 |
| 100+ | $2.1695 |
| 500+ | $1.7825 |
| 1000+ | $1.5855 |
»
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWS12STR-M3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments VS-8EWS12STR-M3.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1 V @ 8 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 1200 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse D-PAK (TO-252AA) Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie - Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Tape & Reel (TR) Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 50 µA @ 1200 V Strom - Richt (Io) 8A Kapazität @ Vr, F - Grundproduktnummer 8EWS12 VS-8EWS12STR-M3 Einzelheiten PDF [English] VS-8EWS12STR-M3 PDF - EN.pdf -
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